株式会社東芝は、磁性体メモリＭＲＡＭ（磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）をギガビット級に大容量化するための要素技術として、微細化に適したスピン注入磁化反転技術と素子寸法を大幅に削減できる垂直磁化方式を組み合わせた新型ＭＴＪ（ＭＲＡＭの記憶素子）素子の開発に成功したと発表した。